Uvled固化機(jī)的結(jié)構(gòu)是什么?Uvled固化機(jī)有什么優(yōu)點(diǎn)?
時(shí)間:2020-11-21 10:14來(lái)源:未知點(diǎn)擊: 次
Uvled固化機(jī)的結(jié)構(gòu)是什么?
Uvled固化機(jī)有什么優(yōu)點(diǎn)?
UVLED(紫外線LED)由一個(gè)或多個(gè)
InGaN量子阱夾在較薄的
GaN三明治結(jié)構(gòu)之間組成,形成的有效區(qū)域是包層。 通過(guò)將InN-GaN的相對(duì)比例更改為
InGaN量子阱,可以將發(fā)射波長(zhǎng)從紫光更改為其他光。
AlGaN可以通過(guò)更改
AlN比例來(lái)制作
UVLED和
量子阱層的包層,但是這些設(shè)備的效率和成熟度很差。 如果活性的
量子阱層是GaN,與InGaN或
AlGaN合金相反,則器件發(fā)射的光譜范圍為350?370nm。
當(dāng)
藍(lán)色I(xiàn)nGaNLED泵上的短電子脈沖時(shí),會(huì)產(chǎn)生紫外線。 含鋁的氮化物,特別是
AlGaN和
AlGaInN可用于制造短波長(zhǎng)器件,從而獲得串聯(lián)波長(zhǎng)
UVLED。 波長(zhǎng)高達(dá)247nm的二極管已經(jīng)商業(yè)化,基于
氮化鋁且可發(fā)出210nm紫外線輻射的LED已成功開(kāi)發(fā),并且在250?270nm波段的
UVLED也正在蓬勃發(fā)展。
III-
V族金屬氮化物基半導(dǎo)體非常適合制造紫外線輻射源。 以
AlGaInN為例,在室溫下,隨著各組分比例的變化,復(fù)合過(guò)程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED的有源層僅由GaN或
AlGaN組成,則其紫外線輻射效率非常低,因?yàn)殡娮雍涂昭ㄖg的復(fù)合是非輻射復(fù)合。 如果在此層中摻雜少量金屬In,則有源層的局部能級(jí)將發(fā)生變化。 此時(shí),電子和空穴將發(fā)生輻射復(fù)合。 因此,當(dāng)有源層中摻雜有金屬銦時(shí),在380nm處的輻射效率比未摻雜時(shí)高19倍。
未來(lái)
高強(qiáng)度UV技術(shù)小巧,低溫且環(huán)保,不需要燈泡。
FUTANSI技術(shù)UV LED光固化系統(tǒng),非常適合系統(tǒng)集成,
UV LED光固化系統(tǒng)可配置為任意長(zhǎng)度的光,適用于各種固化應(yīng)用,包括半導(dǎo)體產(chǎn)品,VCD,DVD頭,液晶,光學(xué)透鏡,精密電子元件, 醫(yī)用針頭木地板涂料固化等的粘接和固定,以及特殊的紫外線環(huán)境等。
UV LED光固化系統(tǒng)采用日本LED集成技術(shù),結(jié)合高密度LED芯片
矩陣集成,微光學(xué)和微冷卻技術(shù) 一,高效率
微光機(jī)電系統(tǒng)封裝的形成。
采用LED型集成技術(shù)的高強(qiáng)度紫外線燈系統(tǒng)具有以下優(yōu)點(diǎn):
1.降低擁有成本
2.無(wú)需維護(hù),從而提高了生產(chǎn)效率
3.在整個(gè)過(guò)程中都穩(wěn)定 紫外線輸出的生命周期,提高產(chǎn)量
第四,即時(shí)切換,降低運(yùn)營(yíng)成本。 照明系統(tǒng)僅在固化過(guò)程中需要打開(kāi)。
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