uvled固化設備廠家三昆與您討論美國開發(fā)的UVLED的波長和最短

時間:2021-01-22 11:27來源:未知點擊: 次

被稱為殺手 UV-C UV，波長僅為 200 至 280 納米，具有高能量，可以穿透病毒，細菌，真菌和粉塵膜螨蟲攻擊 DNA 并破壞這些有害生物。 uvled固化設備廠家三昆科技將與您討論在美國開發(fā)的UVLED的波長和最短情況被稱為殺手 UV-C UV，該波長僅 200 至 280 納米，高能，可以穿透病毒，細菌，真菌和塵螨的膜，攻擊 DNA 并破壞這些有害生物。自丹麥教授 Niels Finsen 發(fā)現(xiàn)UV可用于固化結核病以來，人類使用UV進行滅菌已有100多年的歷史了。但是，目前使用的深UV燈不僅體積大且效率低下，而且還含有對環(huán)境有害的汞。

美國康奈爾大學的研究小組最近開發(fā)了一種小型且更環(huán)保的深紫外LED光源，這為當前的工業(yè) deep-UV [ 記錄LED的最低波長。
研究人員使用具有原子能級控制界面的氮化鎵（GaN）和氮化鋁（AlN）單層膜作為反應區(qū)域，成功發(fā)射了 232 至 270 納米深UV LED 。這種 232 納米的深UV記錄了使用氮化鎵作為發(fā)光材料發(fā)出的最短波長的光的記錄。之前的記錄是日本團隊創(chuàng)造的239nm。

提高LED-UV的效率
當前，LED-UV的最大瓶頸是發(fā)光效率，可以通過三個方面來衡量：
1. 注入效率：通過設備注入反應區(qū)的電子比例。
2. 內量子效率（IQE）：反應區(qū)域中所有電子產生的光子或UV的比例。
3. 光提取效率：在反應區(qū)域中產生的光子所占的比例，這些光子可以從設備中取出并使用。
論文的作者之一 SM （Moudud） Islam 說：“如果以上三個方面的效率達到 50%，乘積僅為八分之一，這意味著發(fā)光效率已降至 12%�！�
在深UV帶中，這三個方面的效率都非常低，但是研究小組發(fā)現(xiàn)使用氮化鎵代替?zhèn)鹘y(tǒng)的鋁氮化鎵可以提高內量子效率和光效率。為了提高注入效率，研究團隊使用先前開發(fā)的技術在正極（電子）和負極（空穴）載流子區(qū)域中實現(xiàn)了極化感應摻雜方法。
研發(fā)
成功提高深UV LED 的發(fā)光效率后，研究團隊的下一步是將光源集成到設備中并朝著目標邁進上市。深UV的應用領域包括食品保鮮，假幣識別，光催化劑，水凈化和殺菌等。